GaAs Wafer
갈륨 아세나이드(GaAs) 웨이퍼는 갈륨(Ga)과 비소(As)로 구성된 복합 반도체 재료입니다.
이 차세대 재료는 고온 안정성, 고주파수, 저소음의 강점을 갖고 있으며
LED(VCSEL), 레이저, 무선 통신, 태양전지판 같은 많은 유망한 분야에서 핵심 재료로 사용됩니다.
Diameter: 100~150mm
| Specification | 100 mm | 150 mm | 200 mm |
|---|---|---|---|
| Growth Method | VGF / LEC | ||
| Conduction Type | Semi-insulating / Semi-conducting | ||
| Dopant | Si | ||
| EPD (cm-2) | 100 ~ 5,000 | ||
| Thickness (μm) | 525±25 | 625±25 | 725±25 |
| 675±25 | |||
| Warp (μm) | Max 10 | ||
| TTV (μm) | Max 5 | ||
| Front Side | Polished, Epi-ready | ||
| Back Side | Polished | ||